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VBsemi Elec FDMC8882-VB


Produttore
Codice Parte Mfr.
FDMC8882-VB
Codice Parte EBEE
E87463508
Confezione
DFN3x3-8
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
30V 30A 30W 3V@250uA 1 N-channel QFN8(3X3) MOSFETs ROHS
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TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Scheda TecnicaVBsemi Elec FDMC8882-VB
RoHS
Tipo di tipoN-Channel
RDS (on)13mΩ@10V;19mΩ@4.5V
Temperatura di funzionamento --55℃~+150℃
Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds)20pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation60W
Drain to Source Voltage30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))3V
Current - Continuous Drain(Id)30A
Ciss-Input Capacitance900pF
Output Capacitance(Coss)236pF
Gate Charge(Qg)20nC@10V

Guida all’acquisto

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