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VBsemi Elec FDMC510P-VB
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | FDMC510P-VB |
| Codice Parte EBEE | E820626290 |
| Confezione | DFN3x3-8 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 20V 52A 4mΩ@10V 1 Piece P-Channel DFN-8(3x3) MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3930 | $ 0.3930 |
| 10+ | $0.3835 | $ 3.8350 |
| 30+ | $0.3782 | $ 11.3460 |
| 100+ | $0.3728 | $ 37.2800 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec FDMC510P-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | P-Channel | |
| RDS (on) | 4mΩ@10V;6mΩ@4.5V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 813pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 54W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 52A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.595nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 910pF | |
| Gate Charge(Qg) | 95.3nC@10V |
Guida all’acquisto
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| 30+ | $0.3782 | $ 11.3460 |
| 100+ | $0.3728 | $ 37.2800 |
