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VBsemi Elec FDG6322C-VB
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | FDG6322C-VB |
| Codice Parte EBEE | E87428961 |
| Confezione | SC-70-6 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 20V 750mW 0.45V@100uA 1 N-Channel + 1 P-Channel SC70-6 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
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| 5+ | $0.1859 | $ 0.9295 |
| 50+ | $0.1478 | $ 7.3900 |
| 150+ | $0.1314 | $ 19.7100 |
| 500+ | $0.1110 | $ 55.5000 |
| 3000+ | $0.0944 | $ 283.2000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec FDG6322C-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel + P-Channel | |
| RDS (on) | 90mΩ@4.5V;155mΩ@4.5V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.24W;1.1W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 450mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.28A;2.8A | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected];[email protected] |
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