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| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | FDC8601-VB |
| Codice Parte EBEE | E819711317 |
| Confezione | TSOP-6 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 100V 1 N-channel SOT-23-6 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2209 | $ 1.1045 |
| 50+ | $0.1754 | $ 8.7700 |
| 150+ | $0.1558 | $ 23.3700 |
| 500+ | $0.1315 | $ 65.7500 |
| 3000+ | $0.1206 | $ 361.8000 |
| 6000+ | $0.1141 | $ 684.6000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec FDC8601-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 105mΩ@4.5V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 42pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 424pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 100pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2209 | $ 1.1045 |
| 50+ | $0.1754 | $ 8.7700 |
| 150+ | $0.1558 | $ 23.3700 |
| 500+ | $0.1315 | $ 65.7500 |
| 3000+ | $0.1206 | $ 361.8000 |
| 6000+ | $0.1141 | $ 684.6000 |
