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VBsemi Elec FDC855N-VB


Produttore
Codice Parte Mfr.
FDC855N-VB
Codice Parte EBEE
E820626330
Confezione
TSOP-6
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
30V 6A 23mΩ@10V 1 N-channel SOT-23-6 MOSFETs ROHS
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6000+$0.0928$ 556.8000
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TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Scheda TecnicaVBsemi Elec FDC855N-VB
RoHS
Tipo di tipoN-Channel
RDS (on)27mΩ@4.5V
Temperatura di funzionamento --55℃~+150℃
Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds)42pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation1.3W
Drain to Source Voltage30V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))1.5V
Current - Continuous Drain(Id)9A
Ciss-Input Capacitance424pF
Output Capacitance(Coss)100pF
Gate Charge(Qg)13nC@10V

Guida all’acquisto

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