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VBsemi Elec D4185-VB
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | D4185-VB |
| Codice Parte EBEE | E820417571 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 40V 50A 12mΩ@10V 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $0.5018 | $ 5.0180 |
| 30+ | $0.4414 | $ 13.2420 |
| 100+ | $0.3811 | $ 38.1100 |
| 500+ | $0.3462 | $ 173.1000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec D4185-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | P-Channel | |
| RDS (on) | 12mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 352pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 136W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 508pF | |
| Gate Charge(Qg) | 60nC@10V |
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