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VBsemi Elec CED540L-VB
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | CED540L-VB |
| Codice Parte EBEE | E829779278 |
| Confezione | TO-251 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 35A 0.036Ω@10V,3A 96W 2V@250uA TO-251 MOSFETs ROHS |
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| 1+ | $0.7780 | $ 0.7780 |
| 10+ | $0.6272 | $ 6.2720 |
| 30+ | $0.5510 | $ 16.5300 |
| 80+ | $0.4764 | $ 38.1120 |
| 480+ | $0.4303 | $ 206.5440 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec CED540L-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 36mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 180pF | |
| Pd - Power Dissipation | 96W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 500pF | |
| Gate Charge(Qg) | 34nC@10V |
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