| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | CED3301-VB |
| Codice Parte EBEE | E822389714 |
| Confezione | TO-251 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | TO-251 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4668 | $ 0.4668 |
| 10+ | $0.3668 | $ 3.6680 |
| 30+ | $0.3239 | $ 9.7170 |
| 80+ | $0.2700 | $ 21.6000 |
| 480+ | $0.2461 | $ 118.1280 |
| 960+ | $0.2319 | $ 222.6240 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec CED3301-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | P-Channel | |
| RDS (on) | 18mΩ@10V;22mΩ@4.5V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 145pF | |
| Pd - Power Dissipation | 40W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 40A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.455nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 180pF | |
| Gate Charge(Qg) | 25nC@10V;[email protected] |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4668 | $ 0.4668 |
| 10+ | $0.3668 | $ 3.6680 |
| 30+ | $0.3239 | $ 9.7170 |
| 80+ | $0.2700 | $ 21.6000 |
| 480+ | $0.2461 | $ 118.1280 |
| 960+ | $0.2319 | $ 222.6240 |
