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VBsemi Elec CEB540L-VB
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | CEB540L-VB |
| Codice Parte EBEE | E829779277 |
| Confezione | TO-263(D2PAK) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 45A 3.75W 0.03Ω@10V,5A 1V@250uA TO-263 MOSFETs ROHS |
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| 1+ | $0.9336 | $ 0.9336 |
| 10+ | $0.7510 | $ 7.5100 |
| 50+ | $0.6605 | $ 33.0250 |
| 100+ | $0.5700 | $ 57.0000 |
| 500+ | $0.5161 | $ 258.0500 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec CEB540L-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 35mΩ@4.5V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 150pF | |
| Pd - Power Dissipation | 3.75W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 45A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | 60nC@10V |
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