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| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | BST82-VB |
| Codice Parte EBEE | E87525006 |
| Confezione | SOT-23(TO-236) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 260mA 0.37W 2.5V@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0762 | $ 0.3810 |
| 50+ | $0.0613 | $ 3.0650 |
| 150+ | $0.0538 | $ 8.0700 |
| 500+ | $0.0482 | $ 24.1000 |
| 3000+ | $0.0388 | $ 116.4000 |
| 6000+ | $0.0366 | $ 219.6000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec BST82-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 2.8Ω@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 370mW | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 260mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 30pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 7pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0762 | $ 0.3810 |
| 50+ | $0.0613 | $ 3.0650 |
| 150+ | $0.0538 | $ 8.0700 |
| 500+ | $0.0482 | $ 24.1000 |
| 3000+ | $0.0388 | $ 116.4000 |
| 6000+ | $0.0366 | $ 219.6000 |
