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| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | BSP225-VB |
| Codice Parte EBEE | E820755477 |
| Confezione | SOT-223 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 250V 2.1A 1.2Ω@10V 1 Piece P-Channel SOT-223 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8648 | $ 0.8648 |
| 10+ | $0.6956 | $ 6.9560 |
| 30+ | $0.6118 | $ 18.3540 |
| 100+ | $0.5280 | $ 52.8000 |
| 500+ | $0.4779 | $ 238.9500 |
| 1000+ | $0.4530 | $ 453.0000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec BSP225-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | P-Channel | |
| RDS (on) | 1.2Ω@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 18pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.1W | |
| Drain to Source Voltage | 250V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.69A | |
| Ciss-Input Capacitance | 200pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 94pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8.7nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8648 | $ 0.8648 |
| 10+ | $0.6956 | $ 6.9560 |
| 30+ | $0.6118 | $ 18.3540 |
| 100+ | $0.5280 | $ 52.8000 |
| 500+ | $0.4779 | $ 238.9500 |
| 1000+ | $0.4530 | $ 453.0000 |
