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| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | BSP122-VB |
| Codice Parte EBEE | E8724994 |
| Confezione | SOT-223 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 200V 800mA 3.1W 2V@250uA 1 N-channel SOT-223-4 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3779 | $ 0.3779 |
| 10+ | $0.2996 | $ 2.9960 |
| 30+ | $0.2645 | $ 7.9350 |
| 100+ | $0.2227 | $ 22.2700 |
| 500+ | $0.2038 | $ 101.9000 |
| 1000+ | $0.1930 | $ 193.0000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec BSP122-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 1.2Ω@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.1W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 800mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 140pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 53pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8.2nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3779 | $ 0.3779 |
| 10+ | $0.2996 | $ 2.9960 |
| 30+ | $0.2645 | $ 7.9350 |
| 100+ | $0.2227 | $ 22.2700 |
| 500+ | $0.2038 | $ 101.9000 |
| 1000+ | $0.1930 | $ 193.0000 |
