| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | BSP100-VB |
| Codice Parte EBEE | E819188200 |
| Confezione | SOT-223 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 30V 1 N-channel SOT-223-3 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3129 | $ 1.5645 |
| 50+ | $0.2500 | $ 12.5000 |
| 150+ | $0.2231 | $ 33.4650 |
| 500+ | $0.1895 | $ 94.7500 |
| 2500+ | $0.1544 | $ 386.0000 |
| 5000+ | $0.1454 | $ 727.0000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec BSP100-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| La configurazione | - | |
| RDS (on) | 19mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 25pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 4W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 295pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 67pF | |
| Gate Charge(Qg) | 6nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3129 | $ 1.5645 |
| 50+ | $0.2500 | $ 12.5000 |
| 150+ | $0.2231 | $ 33.4650 |
| 500+ | $0.1895 | $ 94.7500 |
| 2500+ | $0.1544 | $ 386.0000 |
| 5000+ | $0.1454 | $ 727.0000 |
