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VBsemi Elec AP0403GH-VB
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | AP0403GH-VB |
| Codice Parte EBEE | E8878871 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 30V 100A 2mΩ@10V,100A 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6145 | $ 0.6145 |
| 10+ | $0.5033 | $ 5.0330 |
| 30+ | $0.4478 | $ 13.4340 |
| 100+ | $0.3922 | $ 39.2200 |
| 500+ | $0.3398 | $ 169.9000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec AP0403GH-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 2mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 235W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | 151nC@10V;[email protected] |
Guida all’acquisto
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