| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 2SK2796STL-E-VB |
| Codice Parte EBEE | E818795049 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 60V 18A 73mΩ@10V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3814 | $ 0.3814 |
| 10+ | $0.3011 | $ 3.0110 |
| 30+ | $0.2671 | $ 8.0130 |
| 100+ | $0.2239 | $ 22.3900 |
| 500+ | $0.1977 | $ 98.8500 |
| 1000+ | $0.1853 | $ 185.3000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec 2SK2796STL-E-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 85mΩ@4.5V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 40pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.1W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 660pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 85pF | |
| Gate Charge(Qg) | 30nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3814 | $ 0.3814 |
| 10+ | $0.3011 | $ 3.0110 |
| 30+ | $0.2671 | $ 8.0130 |
| 100+ | $0.2239 | $ 22.3900 |
| 500+ | $0.1977 | $ 98.8500 |
| 1000+ | $0.1853 | $ 185.3000 |
