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VBsemi Elec 2SJ527STR-E-VB
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | 2SJ527STR-E-VB |
| Codice Parte EBEE | E819632076 |
| Confezione | TO-252 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 60V 30A 61mΩ@10V 1 Piece P-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| 100+ | $0.3209 | $ 32.0900 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VBsemi Elec 2SJ527STR-E-VB | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | P-Channel | |
| RDS (on) | 72mΩ@4.5V;61mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 100pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 4W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 120pF | |
| Gate Charge(Qg) | 10nC@10V |
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