| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | TSK65R099 |
| Codice Parte EBEE | E839832946 |
| Confezione | TO-247 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 650V 31A 255W 0.09Ω@10V,17A 2.9V@250uA 1 N-channel TO-247 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0534 | $ 2.0534 |
| 10+ | $1.7528 | $ 17.5280 |
| 30+ | $1.4645 | $ 43.9350 |
| 90+ | $1.2724 | $ 114.5160 |
| 510+ | $1.1856 | $ 604.6560 |
| 990+ | $1.1468 | $ 1135.3320 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | Truesemi TSK65R099 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 103mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 2.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 255W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.9V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 31A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.9nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 117pF | |
| Gate Charge(Qg) | 70nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0534 | $ 2.0534 |
| 10+ | $1.7528 | $ 17.5280 |
| 30+ | $1.4645 | $ 43.9350 |
| 90+ | $1.2724 | $ 114.5160 |
| 510+ | $1.1856 | $ 604.6560 |
| 990+ | $1.1468 | $ 1135.3320 |
