| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | TMN2060D |
| Codice Parte EBEE | E87422919 |
| Confezione | TO-252-3L |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 20V 60A 38W 4.9mΩ@4.5V,25A 1V@250uA 1 N-channel TO-252-3L MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0715 | $ 0.3575 |
| 50+ | $0.0699 | $ 3.4950 |
| 150+ | $0.0689 | $ 10.3350 |
| 500+ | $0.0679 | $ 33.9500 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | Tritech-MOS TMN2060D | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 20V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 60A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 4.9mΩ@4.5V,25A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 38W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 1V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 271pF@10V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 1.832nF@10V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | [email protected] |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0715 | $ 0.3575 |
| 50+ | $0.0699 | $ 3.4950 |
| 150+ | $0.0689 | $ 10.3350 |
| 500+ | $0.0679 | $ 33.9500 |
