| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | TK6A60D |
| Codice Parte EBEE | E82979101 |
| Confezione | TO-220F-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 600V 6A 40W 1Ω@10V,3A 4V@1mA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3760 | $ 1.3760 |
| 10+ | $1.1316 | $ 11.3160 |
| 50+ | $0.9973 | $ 49.8650 |
| 100+ | $0.8449 | $ 84.4900 |
| 500+ | $0.7785 | $ 389.2500 |
| 1000+ | $0.7469 | $ 746.9000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | TOSHIBA TK6A60D | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 1.25Ω@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 40W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 800pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 100pF | |
| Gate Charge(Qg) | 16nC |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3760 | $ 1.3760 |
| 10+ | $1.1316 | $ 11.3160 |
| 50+ | $0.9973 | $ 49.8650 |
| 100+ | $0.8449 | $ 84.4900 |
| 500+ | $0.7785 | $ 389.2500 |
| 1000+ | $0.7469 | $ 746.9000 |
