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Texas Instruments CSD13302W
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | CSD13302W |
| Codice Parte EBEE | E82863791 |
| Confezione | DSBGA-4 |
| Numero Cliente | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 12V 1.6A 17.1mΩ@4.5V,1A 1.8W 1.3V@250uA 1 N-channel DSBGA-4 MOSFETs ROHS |
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| 5+ | $0.1851 | $ 0.9255 |
| 50+ | $0.1485 | $ 7.4250 |
| 150+ | $0.1306 | $ 19.5900 |
| 500+ | $0.1146 | $ 57.3000 |
| 3000+ | $0.1103 | $ 330.9000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 17.1mΩ@4.5V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.8W | |
| Drain to Source Voltage | 12V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 862pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
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