| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | TDM3512 |
| Codice Parte EBEE | E8380220 |
| Confezione | DFN-8(3x3) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | None |
| Descrizione | 20V 50A 3.4mΩ@4.5V,13.5A 35W 500mV@250uA 1 N-channel DFN-8(3x3) MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2882 | $ 0.2882 |
| 10+ | $0.2535 | $ 2.5350 |
| 30+ | $0.2384 | $ 7.1520 |
| 100+ | $0.2203 | $ 22.0300 |
| 500+ | $0.2128 | $ 106.4000 |
| 1000+ | $0.2067 | $ 206.7000 |
| 3000+ | $0.2052 | $ 615.6000 |
| 6000+ | $0.2022 | $ 1213.2000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | Techcode TDM3512 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 7mΩ@1.8V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 525pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 35W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.91nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 730pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2882 | $ 0.2882 |
| 10+ | $0.2535 | $ 2.5350 |
| 30+ | $0.2384 | $ 7.1520 |
| 100+ | $0.2203 | $ 22.0300 |
| 500+ | $0.2128 | $ 106.4000 |
| 1000+ | $0.2067 | $ 206.7000 |
| 3000+ | $0.2052 | $ 615.6000 |
| 6000+ | $0.2022 | $ 1213.2000 |
