| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | TPM4152PEC6 |
| Codice Parte EBEE | E82928728 |
| Confezione | SOT-363 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 20V 1.1A 280mW 750mΩ@1.8V,0.1A 500mV@250uA SOT-363 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1184 | $ 0.5920 |
| 50+ | $0.0952 | $ 4.7600 |
| 150+ | $0.0836 | $ 12.5400 |
| 500+ | $0.0750 | $ 37.5000 |
| 3000+ | $0.0602 | $ 180.6000 |
| 6000+ | $0.0567 | $ 340.2000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | TECH PUBLIC TPM4152PEC6 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 1.05Ω@1.8V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 4.5pF | |
| Number | 2 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 280mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 55pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 6pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1184 | $ 0.5920 |
| 50+ | $0.0952 | $ 4.7600 |
| 150+ | $0.0836 | $ 12.5400 |
| 500+ | $0.0750 | $ 37.5000 |
| 3000+ | $0.0602 | $ 180.6000 |
| 6000+ | $0.0567 | $ 340.2000 |
