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TECH PUBLIC BSP149
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | BSP149 |
| Codice Parte EBEE | E87603335 |
| Confezione | SOT-223 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | - |
| Descrizione | 200V 1A 2.1W 1.35Ω@10V,0.425A 2V@250uA SOT-223 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4847 | $ 0.4847 |
| 10+ | $0.3802 | $ 3.8020 |
| 30+ | $0.3358 | $ 10.0740 |
| 100+ | $0.2804 | $ 28.0400 |
| 500+ | $0.2551 | $ 127.5500 |
| 1000+ | $0.2408 | $ 240.8000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | TECH PUBLIC BSP149 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 1.35Ω@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 11.3pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.1W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 148pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3.2nC@5V |
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| 10+ | $0.3802 | $ 3.8020 |
| 30+ | $0.3358 | $ 10.0740 |
| 100+ | $0.2804 | $ 28.0400 |
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