| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STWA70N65DM6 |
| Codice Parte EBEE | E83290674 |
| Confezione | TO-247 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 68A 36mΩ@10V,34A 450W 3.25V@250uA 1 N-channel TO-247 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $24.0253 | $ 24.0253 |
| 200+ | $9.2988 | $ 1859.7600 |
| 600+ | $8.9706 | $ 5382.3600 |
| 1200+ | $8.8102 | $ 10572.2400 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STWA70N65DM6 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 650V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 68A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 36mΩ@10V,34A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 450W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 3.25V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 3pF | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 4900pF | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 125nC@010V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $24.0253 | $ 24.0253 |
| 200+ | $9.2988 | $ 1859.7600 |
| 600+ | $8.9706 | $ 5382.3600 |
| 1200+ | $8.8102 | $ 10572.2400 |
