| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STW70N65DM6 |
| Codice Parte EBEE | E83281074 |
| Confezione | TO-247 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 68A 40mΩ@10V,34A 450W 4.75V@250uA 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $27.3972 | $ 27.3972 |
| 30+ | $25.9932 | $ 779.7960 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STW70N65DM6 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 40mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 3pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 450W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.75V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 68A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.9nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 280pF | |
| Gate Charge(Qg) | 125nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $27.3972 | $ 27.3972 |
| 30+ | $25.9932 | $ 779.7960 |
