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STMicroelectronics STW56N65DM2
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STW56N65DM2 |
| Codice Parte EBEE | E8165942 |
| Confezione | TO-247-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 48A 65mΩ@10V,24A 360W 5V@250uA 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $7.6520 | $ 7.6520 |
| 10+ | $6.8409 | $ 68.4090 |
| 30+ | $6.3457 | $ 190.3710 |
| 90+ | $5.9303 | $ 533.7270 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STW56N65DM2 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 650V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 48A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 65mΩ@10V,24A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 360W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 5V@250uA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 4.1nF@100V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 88nC@10V |
Guida all’acquisto
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $7.6520 | $ 7.6520 |
| 10+ | $6.8409 | $ 68.4090 |
| 30+ | $6.3457 | $ 190.3710 |
| 90+ | $5.9303 | $ 533.7270 |
