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STMicroelectronics STW56N60DM2
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STW56N60DM2 |
| Codice Parte EBEE | E82971376 |
| Confezione | TO-247 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 600V 50A 60mΩ@10V,25A 360W 5V@250uA 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $19.5683 | $ 19.5683 |
| 10+ | $18.7051 | $ 187.0510 |
| 30+ | $17.2100 | $ 516.3000 |
| 100+ | $15.9058 | $ 1590.5800 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STW56N60DM2 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 60mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 3.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 360W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.1nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 190pF | |
| Gate Charge(Qg) | 90nC@10V |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $19.5683 | $ 19.5683 |
| 10+ | $18.7051 | $ 187.0510 |
| 30+ | $17.2100 | $ 516.3000 |
| 100+ | $15.9058 | $ 1590.5800 |
