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STMicroelectronics STW48N60DM2
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STW48N60DM2 |
| Codice Parte EBEE | E8457474 |
| Confezione | TO-247 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 600V 40A 300W 0.079Ω@10V,20A 4V@250uA 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $19.7727 | $ 19.7727 |
| 10+ | $18.9001 | $ 189.0010 |
| 30+ | $17.3897 | $ 521.6910 |
| 90+ | $16.0714 | $ 1446.4260 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STW48N60DM2 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 79mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 4.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 300W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 40A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.25nF | |
| Gate Charge(Qg) | 70nC@10V |
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