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STMicroelectronics STW45N60DM2AG
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STW45N60DM2AG |
| Codice Parte EBEE | E8501088 |
| Confezione | TO-247-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 34A 0.093Ω@10V,17A 250W 4V@250uA 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $7.7834 | $ 7.7834 |
| 10+ | $6.9190 | $ 69.1900 |
| 30+ | $6.3918 | $ 191.7540 |
| 100+ | $5.9499 | $ 594.9900 |
| 500+ | $5.8824 | $ 2941.2000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STW45N60DM2AG | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -40℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| La configurazione | - | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 650V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 34A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.093Ω@10V,17A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 250W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | - | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 2.5nF@100V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 56nC@480V |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $7.7834 | $ 7.7834 |
| 10+ | $6.9190 | $ 69.1900 |
| 30+ | $6.3918 | $ 191.7540 |
| 100+ | $5.9499 | $ 594.9900 |
| 500+ | $5.8824 | $ 2941.2000 |
