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STMicroelectronics STW24N60M2
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STW24N60M2 |
| Codice Parte EBEE | E8726092 |
| Confezione | TO-247 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 18A 0.19Ω@10V,9A 150W 2V@250uA 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0962 | $ 2.0962 |
| 10+ | $1.8264 | $ 18.2640 |
| 30+ | $1.6561 | $ 49.6830 |
| 100+ | $1.4826 | $ 148.2600 |
| 500+ | $1.4039 | $ 701.9500 |
| 1000+ | $1.3702 | $ 1370.2000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STW24N60M2 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 190mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 2.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.06nF | |
| Gate Charge(Qg) | 29nC@480V |
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