Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
STMicroelectronics STW18N65M5
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STW18N65M5 |
| Codice Parte EBEE | E85268749 |
| Confezione | TO-247 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 15A 0.198Ω@10V,7.5A 110W 4V@250uA 1 N-channel TO-247 MOSFETs ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.5562 | $ 4.5562 |
| 10+ | $3.9247 | $ 39.2470 |
| 30+ | $3.5482 | $ 106.4460 |
| 90+ | $3.1686 | $ 285.1740 |
| 510+ | $2.9935 | $ 1526.6850 |
| 990+ | $2.9136 | $ 2884.4640 |
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STW18N65M5 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 198mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 3.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Drain to Source Voltage | - | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 15A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.24nF | |
| Gate Charge(Qg) | 31nC@10V |
Guida all’acquisto
Espandi
In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.5562 | $ 4.5562 |
| 10+ | $3.9247 | $ 39.2470 |
| 30+ | $3.5482 | $ 106.4460 |
| 90+ | $3.1686 | $ 285.1740 |
| 510+ | $2.9935 | $ 1526.6850 |
| 990+ | $2.9136 | $ 2884.4640 |
