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STMicroelectronics STU11N65M2


Produttore
Codice Parte Mfr.
STU11N65M2
Codice Parte EBEE
E82962730
Confezione
IPAK
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
650V 7A 85W 670mΩ@10V,3.5A 4V@250uA 1 N-channel IPAK MOSFETs ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
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Qualità
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$0.9249$ 0.9249
10+$0.9053$ 9.0530
30+$0.8917$ 26.7510
100+$0.8389$ 83.8900
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Scheda TecnicaST STU11N65M2
RoHS
Tipo di tipoN-Channel
RDS (on)680mΩ@10V
Temperatura di funzionamento --55℃~+150℃
Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds)0.9pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation85W
Drain to Source Voltage650V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Current - Continuous Drain(Id)7A
Ciss-Input Capacitance410pF
Output Capacitance(Coss)20pF
Gate Charge(Qg)12.5nC@10V

Guida all’acquisto

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