| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STS6NF20V |
| Codice Parte EBEE | E8457489 |
| Confezione | SO-8 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 20V 6A 45mΩ@2.7V,3A 2.5W 600mV@250uA 1 N-channel SO-8 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6484 | $ 0.6484 |
| 10+ | $0.5222 | $ 5.2220 |
| 30+ | $0.4591 | $ 13.7730 |
| 100+ | $0.3960 | $ 39.6000 |
| 500+ | $0.3582 | $ 179.1000 |
| 1000+ | $0.3392 | $ 339.2000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STS6NF20V | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 45mΩ@2.7V | |
| Temperatura di funzionamento - | - | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 68pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 600mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 640pF | |
| Gate Charge(Qg) | 11.5nC@16V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6484 | $ 0.6484 |
| 10+ | $0.5222 | $ 5.2220 |
| 30+ | $0.4591 | $ 13.7730 |
| 100+ | $0.3960 | $ 39.6000 |
| 500+ | $0.3582 | $ 179.1000 |
| 1000+ | $0.3392 | $ 339.2000 |
