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STMicroelectronics STS4DPF20L
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STS4DPF20L |
| Codice Parte EBEE | E8169096 |
| Confezione | SO-8 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 20V 4A 2W 0.07Ω@10V,2A 1.6V@250uA 2 P-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $0.7519 | $ 7.5190 |
| 30+ | $0.6648 | $ 19.9440 |
| 100+ | $0.5776 | $ 57.7600 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STS4DPF20L | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | P-Channel | |
| RDS (on) | 100mΩ@4.5V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 130pF | |
| Number | 2 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.35nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 490pF | |
| Gate Charge(Qg) | 16nC@5V |
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