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STMicroelectronics STP50N65DM6
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STP50N65DM6 |
| Codice Parte EBEE | E83280383 |
| Confezione | TO-220 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 33A 250W 91mΩ@10V,16.5A 3.25V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $7.1225 | $ 7.1225 |
| 200+ | $2.7575 | $ 551.5000 |
| 500+ | $2.6600 | $ 1330.0000 |
| 1000+ | $2.6120 | $ 2612.0000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STP50N65DM6 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 650V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 33A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 91mΩ@10V,16.5A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 250W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 3.25V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 3pF | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 2.3nF | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 52.5nC |
Guida all’acquisto
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| 1+ | $7.1225 | $ 7.1225 |
| 200+ | $2.7575 | $ 551.5000 |
| 500+ | $2.6600 | $ 1330.0000 |
| 1000+ | $2.6120 | $ 2612.0000 |
