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STMicroelectronics STP3N80K5
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STP3N80K5 |
| Codice Parte EBEE | E8501036 |
| Confezione | TO-220 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 800V 2.5A 2.8Ω@10V,1A 60W 3V@100uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STP3N80K5 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 2.8Ω@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 0.6pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 130pF | |
| Gate Charge(Qg) | 9.5nC@640V |
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