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STMicroelectronics STP33N60M6
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STP33N60M6 |
| Codice Parte EBEE | E85268765 |
| Confezione | TO-220 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 600V 25A 125mΩ@10V,12.5A 190W 4.75V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $5.7263 | $ 57.2630 |
| 50+ | $5.1934 | $ 259.6700 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STP33N60M6 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 125mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 4.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 190W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.75V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 25A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.515nF | |
| Gate Charge(Qg) | 33.4nC@480V |
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