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STMicroelectronics STP33N60DM6


Produttore
Codice Parte Mfr.
STP33N60DM6
Codice Parte EBEE
E8501033
Confezione
TO-220
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
600V 128mΩ@10V,12.5A 190W 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS
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1000+$1.5762$ 1576.2000
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TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Scheda TecnicaST STP33N60DM6
RoHS
Tipo di tipoN-Channel
RDS (on)128mΩ@10V
Temperatura di funzionamento --55℃~+150℃
Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds)3pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation190W
Drain to Source Voltage600V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Current - Continuous Drain(Id)25A
Ciss-Input Capacitance1.5nF
Output Capacitance(Coss)115pF
Gate Charge(Qg)35nC@10V

Guida all’acquisto

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