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STMicroelectronics STP30NF10
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STP30NF10 |
| Codice Parte EBEE | E860609 |
| Confezione | TO-220 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 35A 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4224 | $ 0.4224 |
| 10+ | $0.3700 | $ 3.7000 |
| 50+ | $0.3446 | $ 17.2300 |
| 100+ | $0.3192 | $ 31.9200 |
| 500+ | $0.3033 | $ 151.6500 |
| 1000+ | $0.2954 | $ 295.4000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STP30NF10 | |
| RoHS | ||
| La configurazione | - | |
| RDS (on) | - | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 80pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.18nF | |
| Gate Charge(Qg) | 55nC@10V |
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| 10+ | $0.3700 | $ 3.7000 |
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| 100+ | $0.3192 | $ 31.9200 |
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