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STMicroelectronics STP28N60M2
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STP28N60M2 |
| Codice Parte EBEE | E8669878 |
| Confezione | TO-220-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 600V 24A 150mΩ@10V,12A 170W 4V@250uA 1 N-channel TO-220-3 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2474 | $ 4.2474 |
| 10+ | $3.6604 | $ 36.6040 |
| 50+ | $3.3115 | $ 165.5750 |
| 100+ | $2.9597 | $ 295.9700 |
| 500+ | $2.7968 | $ 1398.4000 |
| 1000+ | $2.7230 | $ 2723.0000 |
| 2000+ | $2.6907 | $ 5381.4000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STP28N60M2 | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| RDS (on) | 135mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 170W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 22A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.44nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 70pF | |
| Gate Charge(Qg) | 36nC@10V |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $4.2474 | $ 4.2474 |
| 10+ | $3.6604 | $ 36.6040 |
| 50+ | $3.3115 | $ 165.5750 |
| 100+ | $2.9597 | $ 295.9700 |
| 500+ | $2.7968 | $ 1398.4000 |
| 1000+ | $2.7230 | $ 2723.0000 |
| 2000+ | $2.6907 | $ 5381.4000 |
