| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STP24N60M2 |
| Codice Parte EBEE | E8472597 |
| Confezione | TO-220 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 18A 150W 0.19Ω@10V,9A 2V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3766 | $ 1.3766 |
| 10+ | $1.1566 | $ 11.5660 |
| 30+ | $1.0361 | $ 31.0830 |
| 100+ | $0.8996 | $ 89.9600 |
| 500+ | $0.8385 | $ 419.2500 |
| 1000+ | $0.8112 | $ 811.2000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STP24N60M2 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 190mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 2.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.06nF | |
| Gate Charge(Qg) | 29nC@480V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3766 | $ 1.3766 |
| 10+ | $1.1566 | $ 11.5660 |
| 30+ | $1.0361 | $ 31.0830 |
| 100+ | $0.8996 | $ 89.9600 |
| 500+ | $0.8385 | $ 419.2500 |
| 1000+ | $0.8112 | $ 811.2000 |
