| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STP20NM60FD |
| Codice Parte EBEE | E82971021 |
| Confezione | TO-220-3 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 600V 20A 0.29Ω@10V,10A 45W 4V@250uA 1 N-channel TO-220-3 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $9.5288 | $ 9.5288 |
| 10+ | $8.4939 | $ 84.9390 |
| 30+ | $7.8636 | $ 235.9080 |
| 100+ | $7.3344 | $ 733.4400 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STP20NM60FD | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -65℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 600V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 20A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.29Ω@10V,10A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 45W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 35pF@25V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 1.3nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 37nC@480V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $9.5288 | $ 9.5288 |
| 10+ | $8.4939 | $ 84.9390 |
| 30+ | $7.8636 | $ 235.9080 |
| 100+ | $7.3344 | $ 733.4400 |
