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STMicroelectronics STP18N60M6
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STP18N60M6 |
| Codice Parte EBEE | E87089885 |
| Confezione | TO-220 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 600V 13A 110W 280mΩ@10V,6.5A 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8625 | $ 3.8625 |
| 200+ | $1.5425 | $ 308.5000 |
| 500+ | $1.4896 | $ 744.8000 |
| 1000+ | $1.4640 | $ 1464.0000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STP18N60M6 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 600V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 13A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 280mΩ@10V,6.5A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 110W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 2pF@100V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 650pF@100V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 16.8nC@10V |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $3.8625 | $ 3.8625 |
| 200+ | $1.5425 | $ 308.5000 |
| 500+ | $1.4896 | $ 744.8000 |
| 1000+ | $1.4640 | $ 1464.0000 |
