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STMicroelectronics STP18N60DM2
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STP18N60DM2 |
| Codice Parte EBEE | E8501027 |
| Confezione | TO-220 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 600V 12A 260mΩ@10V,6A 90W 3V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1893 | $ 1.1893 |
| 10+ | $1.1662 | $ 11.6620 |
| 30+ | $1.1502 | $ 34.5060 |
| 100+ | $1.1342 | $ 113.4200 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STP18N60DM2 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| La configurazione | - | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 600V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 12A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 260mΩ@10V,6A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 90W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 3V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 1.33pF@100V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 800pF@100V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 20nC@10V |
Guida all’acquisto
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1893 | $ 1.1893 |
| 10+ | $1.1662 | $ 11.6620 |
| 30+ | $1.1502 | $ 34.5060 |
| 100+ | $1.1342 | $ 113.4200 |
