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STMicroelectronics STP15N65M5
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STP15N65M5 |
| Codice Parte EBEE | E85205155 |
| Confezione | TO-220 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 11A 25W 0.308Ω@10V,5.5A 4V@250uA 1 N-channel TO-220-3 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0352 | $ 1.0352 |
| 10+ | $0.8812 | $ 8.8120 |
| 50+ | $0.8034 | $ 40.1700 |
| 100+ | $0.7272 | $ 72.7200 |
| 500+ | $0.6812 | $ 340.6000 |
| 1000+ | $0.6574 | $ 657.4000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STP15N65M5 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 308mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 2.6pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 25W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11A | |
| Ciss-Input Capacitance | 816pF | |
| Gate Charge(Qg) | 22nC@520V |
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| 10+ | $0.8812 | $ 8.8120 |
| 50+ | $0.8034 | $ 40.1700 |
| 100+ | $0.7272 | $ 72.7200 |
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