| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STP150N10F7 |
| Codice Parte EBEE | E8457440 |
| Confezione | TO-220 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 110A 0.0036Ω@10V,55A 250W 2.5V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2385 | $ 1.2385 |
| 10+ | $1.0377 | $ 10.3770 |
| 50+ | $0.8594 | $ 42.9700 |
| 100+ | $0.7341 | $ 73.4100 |
| 500+ | $0.6795 | $ 339.7500 |
| 1000+ | $0.6554 | $ 655.4000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STP150N10F7 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 3.6mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 67pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 250W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 110A | |
| Ciss-Input Capacitance | 8.115nF | |
| Gate Charge(Qg) | 117nC@50V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2385 | $ 1.2385 |
| 10+ | $1.0377 | $ 10.3770 |
| 50+ | $0.8594 | $ 42.9700 |
| 100+ | $0.7341 | $ 73.4100 |
| 500+ | $0.6795 | $ 339.7500 |
| 1000+ | $0.6554 | $ 655.4000 |
