| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STP110N10F7 |
| Codice Parte EBEE | E8472621 |
| Confezione | TO-220 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 110A 150W 5.1mΩ@10V,55A 2.5V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.2508 | $ 2.2508 |
| 10+ | $2.1980 | $ 21.9800 |
| 50+ | $2.1635 | $ 108.1750 |
| 100+ | $2.1290 | $ 212.9000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STP110N10F7 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+175℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 100V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 110A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 5.1mΩ@10V,55A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 150W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 2.5V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 39pF@50V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 5.117nF@50V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 72nC@50V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.2508 | $ 2.2508 |
| 10+ | $2.1980 | $ 21.9800 |
| 50+ | $2.1635 | $ 108.1750 |
| 100+ | $2.1290 | $ 212.9000 |
