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STMicroelectronics STP10NM60N
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STP10NM60N |
| Codice Parte EBEE | E85931917 |
| Confezione | TO-220 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 600V 10A 70W 550mΩ@10V,4A 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.1382 | $ 4.1382 |
| 200+ | $1.6520 | $ 330.4000 |
| 500+ | $1.5954 | $ 797.7000 |
| 1000+ | $1.5699 | $ 1569.9000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STP10NM60N | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 600V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 10A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 550mΩ@10V,4A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 70W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 540pF@50V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 19nC@10V |
Guida all’acquisto
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.1382 | $ 4.1382 |
| 200+ | $1.6520 | $ 330.4000 |
| 500+ | $1.5954 | $ 797.7000 |
| 1000+ | $1.5699 | $ 1569.9000 |
