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STMicroelectronics STP100N6F7
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STP100N6F7 |
| Codice Parte EBEE | E8183260 |
| Confezione | TO-220 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 60V 100A 5.6mΩ@10V,50A 125W 2V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1038 | $ 1.1038 |
| 10+ | $0.9900 | $ 9.9000 |
| 50+ | $0.9276 | $ 46.3800 |
| 100+ | $0.8575 | $ 85.7500 |
| 500+ | $0.8263 | $ 413.1500 |
| 1000+ | $0.8107 | $ 810.7000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STP100N6F7 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 5.6mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 86pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 125W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.98nF | |
| Gate Charge(Qg) | 30nC@10V |
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