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STMicroelectronics STO68N65DM6
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STO68N65DM6 |
| Codice Parte EBEE | E83291323 |
| Confezione | - |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 55A 53mΩ@10V,27.5A 240W 4.75V@250uA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $15.4352 | $ 15.4352 |
| 10+ | $14.2279 | $ 142.2790 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STO68N65DM6 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| La configurazione | - | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 650V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 55A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 53mΩ@10V,27.5A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 240W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4.75V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 1.5pF@100V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 3528pF | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 80nC@10V |
Guida all’acquisto
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| 1+ | $15.4352 | $ 15.4352 |
| 10+ | $14.2279 | $ 142.2790 |
